کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1669012 | 1008878 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Defect levels in CuGaSe2 by modulated photocurrent spectroscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Results of high frequency modulated photocurrent spectroscopy (HF MPC) performed on epitaxial and polycrystalline CuGaSe2 thin films are presented. Frequency and temperature scans of MPC in the high frequency regime are compared, and the advantages of the second mode of measurement over the first one are demonstrated. Electronic parameters of defect levels in Cu-rich and Ga-rich stoichiometry are obtained and discussed in comparison to the literature data on defect levels derived from capacitance junction techniques. An attempt to correlate levels observed by MPC technique with material stoichiometry has been made.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 21, 31 August 2011, Pages 7308–7311
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 21, 31 August 2011, Pages 7308–7311
نویسندگان
A. Krysztopa, M. Igalson, P. Zabierowski, J. Larsen, Y. Aida, S. Siebentritt, L. Gütay,