کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1669025 | 1008878 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
All-chemically deposited Bi2S3/PbS solar cells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report on solar cells with a cross-sectional layout: TCO/window/Bi2S3/PbS, in which a commercial SnO2 transparent conductive oxide (TCO-PPG Sungate 500); chemically deposited window layers of CdS, ZnS or their oxides; n-type Bi2S3 (100 nm) and p-type PbS (360–550 nm) absorber films constitute the cell structures. The crystalline structure, optical, and electrical properties of the constituent films are presented. The open circuit voltage (Voc) and short-circuit current density (Jsc), for 1000 W/m2 solar radiation, of these solar cells depend on the window layers, and vary in the range, 130–310 mV and 0.5–5 mA/cm2, respectively. The typical fill factors (FF) of these cells are 0.25–0.42, and conversion efficiency, 0.1–0.4%.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 21, 31 August 2011, Pages 7364–7368
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 21, 31 August 2011, Pages 7364–7368
نویسندگان
Harumi Moreno-García, M.T.S. Nair, P.K. Nair,