کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1669032 | 1008878 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Phase composition of selenized Cu2ZnSnSe4 thin films determined by X-ray diffraction and Raman spectroscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Thin layers of Sn onto Cu–Zn alloy with different component ratios were processed at different temperatures. Scrupulous comparative analyses were performed by room temperature Raman spectroscopy and X-ray-diffractometry. An excess of tin on the surface results in isothermal selenization at 450 °C in the hexagonal residuals of unstable SnSe2 in the well-crystallized Stannite — Cu2ZnSnSe4. In similar selenization conditions, copper-rich layers as precursors result in the Stannite phase with micro-immersions of CuSe. Low-temperature photoluminescence spectra of selenized films indicated to two Gaussian shaped bands at 0.81 and 1.16 eV.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 21, 31 August 2011, Pages 7394–7398
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 21, 31 August 2011, Pages 7394–7398
نویسندگان
M. Ganchev, J. Iljina, L. Kaupmees, T. Raadik, O. Volobujeva, A. Mere, M. Altosaar, J. Raudoja, E. Mellikov,