کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1669038 | 1008878 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
SnS thin-films by RF sputtering at room temperature
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Tin monosulfide (SnS) is of interest as a potential solar cell absorber material. We present a preliminary investigation of the effects of sputtering conditions on SnS thin-film structural, optical, and electronic properties. Films were RF sputtered from an SnS target using an argon plasma. Resistivity, stoichiometry, phase, grain size and shape, bandgap, and optical absorption coefficient can be varied by modifying argon pressure for a fixed deposition time. Most films have an indirect bandgap in the range of 1.08–1.18 eV. XRD patterns confirmed the films as mostly crystalline, and grain morphology was examined using profile and surface SEM images.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 21, 31 August 2011, Pages 7421–7424
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 21, 31 August 2011, Pages 7421–7424
نویسندگان
Katy Hartman, J.L. Johnson, Mariana I. Bertoni, Daniel Recht, Michael J. Aziz, Michael A. Scarpulla, Tonio Buonassisi,