کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی نسخه تمام متن
1669050 1008878 2011 5 صفحه PDF سفارش دهید دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Baseline model of graded-absorber Cu(In,Ga)Se2 solar cells applied to cells with Zn1 − xMgxO buffer layers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Baseline model of graded-absorber Cu(In,Ga)Se2 solar cells applied to cells with Zn1 − xMgxO buffer layers
چکیده انگلیسی

A baseline parameter set for electrical modelling of Cu(In,Ga)Se2 solar cells with compositionally graded absorber and CdS buffer layer is established. The cases with and without Fermi level pinning as well as with and without a surface defect layer are considered. Simulations with a defect layer are observed to give the best correspondence to measurements. Zn1 − xMgxO buffer layers are introduced and initial modelling of the light soaking behaviour is performed. Simulation results are compared with experimental data.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 21, 31 August 2011, Pages 7476–7480
نویسندگان
, , , ,
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت