کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1669051 | 1008878 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modelling multivalent defects in thin film solar cells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Modelling multivalent defects in thin film solar cells Modelling multivalent defects in thin film solar cells](/preview/png/1669051.png)
چکیده انگلیسی
Multivalent defects, e.g. double donors/acceptors or amphoteric defects, are important in materials used in solar cell production in general and in chalcopyrite materials in particular. We extended our thin film solar cell simulation software scaps to enable the simulation of multivalent defects with up to five different charge states; the algorithms presented are however able to simulate an arbitrary number of possible charge states. The presented solution method avoids numerical inaccuracies caused by the subtraction of two almost equal numbers.This new modelling facility is afterwards used to investigate the consequences of the multivalent character of defects for the simulation of chalcopyrite based solar cells.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 21, 31 August 2011, Pages 7481–7484
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 21, 31 August 2011, Pages 7481–7484
نویسندگان
Koen Decock, Samira Khelifi, Marc Burgelman,