کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1669303 | 1008882 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Enhanced growth of low-resistivity titanium silicides on epitaxial Si0.7Ge0.3 on (001)Si with a sacrificial amorphous Si interlayer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Enhanced growth of low-resistivity self-aligned titanium silicides on epitaxial Si0.7Ge0.3 with a sacrificial amorphous Si (a-Si) interlayer has been achieved. The a-Si layer with appropriate thickness was found to prevent Ge segregation, decrease the growth temperature, as well as maintain the interface flatness and morphological stability in forming low-resistivity C54-TiSi2 on Si0.7Ge0.3 grown by molecular beam epitaxy. The process promises to be applicable to the fabrication of high-speed Si–Ge devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 24, 1 October 2010, Pages 7279–7282
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 24, 1 October 2010, Pages 7279–7282
نویسندگان
W.W. Wu, C.W. Wang, K.N. Chen, S.L. Cheng, S.W. Lee,