کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1669305 | 1008882 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Charge storage characteristics of iridium silicide nanocrystals embedded in SiO2 matrix for nonvolatile memory application
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this work, the nanostructure-assisted “Al/SiO2/Ir-silicide-NCs/SiO2/P-Si-sub/Al” stack with iridium silicide nanocrystals (Ir-silicide-NCs) embedded between two SiO2 layers has been demonstrated in the application of nonvolatile memory for the first time. A significant memory window voltage of 14.2 V at sweeps of +/â 10 V by capacitance-voltage measurement can be reached, when well-distributed Ir-silicide-NCs are observed in cross-sectional TEM examination. In this case, the trap density is estimated to be about 1.06 Ã 1013 cmâ 2, indicating a high trapping efficiency stack for nonvolatile memory application.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 24, 1 October 2010, Pages 7287-7290
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 24, 1 October 2010, Pages 7287-7290
نویسندگان
Terry Tai-Jui Wang, Shih Wei Hung, Pi Kai Chuang, Cheng Tzu Kuo,