کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1669312 | 1008882 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermal properties and structure of TeGa2Sb7 thin films for phase-change memory
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We disclose in this paper properties of a composition TeGa2Sb7 selected from the pseudo-tie line Sb80Te20-GaSb in Te-Ga-Sb system. TeGa2Sb7 film possesses crystallization temperature 236 °C and activation-energy of crystallization 5.76 eV, by Kissinger's peak-shift method. The study on failure-time versus isothermal temperatures fits in an Arrhenius plot, which can be extrapolated to the 10 year data retention at 200 °C. Grazing-incident X-ray diffraction shows that crystallized TeGa2Sb7 films compose of a single HCP phase. Electrical resistance decreases by four orders-of-magnitude upon crystallization. Memory switching is verified using a bridge-memory-cell. TeGa2Sb7 is a potential for phase-change memory anticipating high thermal stability.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 24, 1 October 2010, Pages 7316-7319
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 24, 1 October 2010, Pages 7316-7319
نویسندگان
Yung-Ching Chu, Po-Chin Chang, Kin-Fu Kao, Shih-Ching Chang, Tsung-Shune Chin,