کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1669331 | 1008882 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Phase transformation in Mg-Sb thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Phase transformation in Mg-Sb thin films Phase transformation in Mg-Sb thin films](/preview/png/1669331.png)
چکیده انگلیسی
Thermal and electrical properties of Mg-Sb films were investigated for evaluation as phase-change memory materials. Electrical resistance of as-deposited amorphous Mg-Sb films decreases with increasing temperature until an abrupt drop at the crystallization temperature, with a total of 4 orders-of-magnitude resistance change. The crystallization temperatures increases from 140 °C to 190 °C as decreasing Sb content from 72.4 to 45.9 at.%, and the melting temperature remains at around 577 °C. The temperature corresponding to 10-year data-retention is 94 °C (54.6 at.% Sb) and 128 °C (41.3 at.% Sb), respectively. Optimal compositions are proposed to be 40 to 50 at.% Sb.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 24, 1 October 2010, Pages 7403-7406
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 24, 1 October 2010, Pages 7403-7406
نویسندگان
Chih-Chung Chang, Ching-Yi Hung, Kin-Fu Kao, Ming-Jinn Tsai, Tri-Rung Yew, Tsung-Shune Chin,