کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1669405 | 1008883 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analysis of effective channel length variation for thin-film transistors with edge waviness in source/drain electrodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We analyzed the effective channel length variation of hydrogenated amorphous silicon thin-film transistors (TFTs) that have wavy edge source/drain (S/D) electrodes. Edge waviness is frequently observed when narrow electrodes are fabricated by using printing methods. We used hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) TFTs and photolithographically patterned wavy edge S/D electrodes for accurate analysis. From a transmission line method (TLM), we successfully related the channel current variation to the variation of current transfer length (LT_wavy) of the wavy edge S/D electrodes originated from current spreading and geometrical edge waviness effects which can be separately extracted.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 22, 1 September 2010, Pages 6295–6298
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 22, 1 September 2010, Pages 6295–6298
نویسندگان
Jaewook Jeong, Yongtaek Hong,