کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1669512 | 1008884 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Preparation of SnO2 thin films at low temperatures with H2 gas by the hot-wire CVD method
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
H2 additional effect for crystallization of SnO2 films prepared by the hot-wire CVD method was investigated. The crystallization of SnO2 films starts at 170 °C. The selectivity enhancement of the solar cell substrate will contribute to reduce the cost of silicon thin film solar cells. The atomic hydrogen assisted nano-crystallization exists for the depositions of SnO2 films by the hot-wire CVD method. Furthermore, the addition of H2 gas improved the electrical conductivity up to 5.3 × 100 S/cm. However, these effects are limited in the deposition condition of a small amount of hydrogen. Addition of much higher hydrogen concentration starts an etching effect of oxygen atoms.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 14, 2 May 2011, Pages 4538–4541
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 14, 2 May 2011, Pages 4538–4541
نویسندگان
H. Natsuhara, T. Tatsuyama, M. Ushiro, M. Furuhashi, T. Fujii, F. Ohashi, N. Yoshida, S. Nonomura,