کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1669522 | 1008884 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ion-implanted resist removal using atomic hydrogen
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Ion-implanted resist removal using atomic hydrogen Ion-implanted resist removal using atomic hydrogen](/preview/png/1669522.png)
چکیده انگلیسی
We removed B-, P-, and As-ion-implanted positive-tone novolak resists with an implantation dose of 5 × 1012 to 5 × 1015 atoms/cm2 at 70 keV, using atomic hydrogen. Though the removal rate decreased with increase in the implantation dose, all of the ion-implanted resists were removed. The rates of thickness of the surface-hardened layer/all resist layer of B, P, and As implanted resists were 0.38, 0.26, and 0.16, respectively, by SEM observation. The removal rate decreased with increasing the rate of the surface-hardened layer. The energy supplied from the ions to the resist concentrated on the surface side in the increasing order of B-P-As.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 14, 2 May 2011, Pages 4578–4581
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 14, 2 May 2011, Pages 4578–4581
نویسندگان
H. Horibe, M. Yamamoto, T. Maruoka, Y. Goto, A. Kono, I. Nishiyama, S. Tagawa,