کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1669566 | 1008885 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Highly selective dry etching of alternating phase-shift mask (PSM) structures for extreme ultraviolet lithography (EUVL) using inductively coupled plasmas (ICP)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Extreme ultraviolet lithography (EUVL) is the most promising candidate for next generation lithography due to its feature size of 32Â nm or below. We investigated the etching properties of materials in an alternating, phase-shift mask (PSM) structure for EUVL, including a Ru top capping layer, Mo-Si multilayer (ML) and Ni etch stop layer (ESL), by varying the Cl2/O2 and Cl2/Ar gas flow ratios, and the dc self-bias voltage (Vdc) in inductively coupled plasma (ICP). The Ru layer could be etched effectively in Cl2/O2 plasmas and Mo-Si ML could be etched with an infinitely high etch selectivity over Ni ESL in Cl2/Ar plasmas, even with increasing overetch time.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 14, 29 May 2009, Pages 3938-3941
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 14, 29 May 2009, Pages 3938-3941
نویسندگان
H.Y. Jung, Y.R. Park, H.J. Lee, N.-E. Lee, C.Y. Jeong, Jinho Ahn,