کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1670208 | 1008897 | 2010 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analysis of silicon germanium vapor phase epitaxy kinetics
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
An empirical study of the selective vapor phase epitaxy kinetics of silicon germanium (Si1 − xGex) alloys is developed with no assumption on an atomistic mechanism. The growth kinetics are approached efficiently with a power rate law. Partial reaction orders are identified for GeH4, HCl and B2H6 precursors. A trend analysis of the partial reaction order highlights the fine characteristics of the Si1 − xGex growth kinetics. The power rate law evidences clearly the competition interactions between Si, Ge and B. Furthermore, a partial derivative study of the power rate law enabled an accurate sensitivity analysis of the selective process.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 6, Supplement 1, 1 January 2010, Pages S12–S17
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 6, Supplement 1, 1 January 2010, Pages S12–S17
نویسندگان
P. Tomasini, V. Machkaoutsan, S.G. Thomas,