کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1670220 | 1008897 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Optimization of external poly base sheet resistance in 0.13 μm quasi self-aligned SiGe:C HBTs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper investigates the optimization of the external polysilicon base sheet resistance of quasi self-aligned (QSA) SiGe:C HBTs from a 0.13 μm BiCMOS process. Taking advantage of optimized implant conditions to improve the doping of the external base poly, and using an optimized non-selective epitaxy process with improved growth rate ratio of 1.7 between the polycrystalline silicon and monocrystalline silicon of the base, the maximum oscillation frequency fmax reaches 300 GHz.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 6, Supplement 1, 1 January 2010, Pages S68–S71
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 6, Supplement 1, 1 January 2010, Pages S68–S71
نویسندگان
S. You, S. Van Huylenbroeck, N.D. Nguyen, A. Sibaja-Hernandez, R. Venegas, K. Van Wichelen, S. Decoutere, K. De Meyer,