کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1670246 1008897 2010 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Liquid-phase epitaxial growth of Ge island on insulator using Ni-imprint-induced Si crystal as seed
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Liquid-phase epitaxial growth of Ge island on insulator using Ni-imprint-induced Si crystal as seed
چکیده انگلیسی

Liquid-phase epitaxial growth (LPE) of Ge islands on insulator (GOI) using Ni-imprint-induced Si (111) crystal seeds (~ 1 μmϕ) is investigated. By optimizing cap and bottom SiO2 layer thickness, single-crystalline GOI (111) structures (~ 10 μmϕ) are realized. The Raman peaks due to Ge–Ge bonds of the growth regions reveal that the full width at half maximum (FWHM) is equal to that of single-crystalline Ge bulk wafers (3.2 cm− 1). This result demonstrates the very high crystal quality of the growth regions.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 6, Supplement 1, 1 January 2010, Pages S182–S185
نویسندگان
, , , , ,