کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1670246 | 1008897 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Liquid-phase epitaxial growth of Ge island on insulator using Ni-imprint-induced Si crystal as seed
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Liquid-phase epitaxial growth (LPE) of Ge islands on insulator (GOI) using Ni-imprint-induced Si (111) crystal seeds (~ 1 μmϕ) is investigated. By optimizing cap and bottom SiO2 layer thickness, single-crystalline GOI (111) structures (~ 10 μmϕ) are realized. The Raman peaks due to Ge–Ge bonds of the growth regions reveal that the full width at half maximum (FWHM) is equal to that of single-crystalline Ge bulk wafers (3.2 cm− 1). This result demonstrates the very high crystal quality of the growth regions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 6, Supplement 1, 1 January 2010, Pages S182–S185
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 6, Supplement 1, 1 January 2010, Pages S182–S185
نویسندگان
Kaoru Toko, Takashi Sakane, Takanori Tanaka, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao,