کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1670261 | 1008897 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The gap state density of micro/nano-crystalline silicon active layer on flexible substrate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The gap state density of micro/nano-crystalline silicon active layer on flexible substrate will be redistributed with mechanical bending. The weak or broken bonds may contribute to the redistribution of trap states. During mechanical strain, the deep states are redistributed in a Gaussian distribution, and are dissimilar to ordinary acceptor-like deep states which manifest with exponential distributions. We conclude that the DOS of a µc-Si:H layer under mechanical strain is the fundamental reliability issue for the development of flexible electronics.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 6, Supplement 1, 1 January 2010, Pages S246–S249
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 6, Supplement 1, 1 January 2010, Pages S246–S249
نویسندگان
M.H. Lee, S.T. Chang, C.-C. Lee, J.-J. Huang, G.-R. Hu, Y.-S. Huang,