کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1670532 | 1008901 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Impact of emitter fabrication on the yield of SiGe HBTs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Epitaxially-grown, in-situ doped emitters used for SiGe HBT fabrication deliver a couple of advantages regarding device performance. Positive effects on emitter resistance, low-frequency noise, emitter-collector breakdown and manufacturability are observed. Here we report, that the removing of the interfacial oxide between the capping Si layer of the base and the emitter layer may have significant impact not only on the As indiffusion but also on the yield of small transistors. Depending on the device geometry, the high-temperature treatment of the heavily As doped emitter layers has proven as critical process step regarding the defect formation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 1, 3 November 2008, Pages 71–74
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 1, 3 November 2008, Pages 71–74
نویسندگان
B. Heinemann, H. Rücker, B. Tillack,