کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1670547 | 1008901 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photoluminescence of strained Si1 − x − yGexCy epilayers on Si(100)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Photoluminescence (PL) spectroscopy has been used to study the incorporation of C in several samples consisting of strained Si1 − x − yGexCy epilayers lattice matched to Si (001). To obtain the total C concentration, these samples were characterized by both SIMS and Auger emission spectroscopy, and X-ray diffraction data was analyzed to obtain the substitutional C concentration. The difference of the total and substitutional C concentrations, i.e., the non-substitutional carbon fraction, was found to be directly correlated with specific spectral lines in both the room-temperature Raman and low-temperature PL spectra.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 1, 3 November 2008, Pages 128–131
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 1, 3 November 2008, Pages 128–131
نویسندگان
N.L. Rowell, D.J. Lockwood, J.-M. Baribeau,