کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1670945 | 1008907 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The effect of arsenic thermal diffusion on the morphology and photoluminescence properties of sub-micron ZnO rods
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
As-doped sub-micron ZnO rods were realized by a simple thermal diffusion process using a GaAs wafer as an arsenic resource. The surface of the sub-micron ZnO rods became rough and the morphology of As-doped sub-micron ZnO rods changed markedly with increasing diffusion temperature. From the results of energy-dispersive X-ray spectroscopy, X-ray diffraction and photoluminescence, arsenic elements were confirmed to be introduced into the sub-micron ZnO rods. The acceptor ionization energy was deduced to be about 110 meV based on the temperature-dependent PL spectra.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 15, 31 May 2010, Pages 4390–4393
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 15, 31 May 2010, Pages 4390–4393
نویسندگان
Meng Ding, Bin Yao, Dongxu Zhao, Fang Fang, Dezhen Shen, Zhenzhong Zhang,