کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1671730 | 1008922 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Interface structure of epitaxial (111) VN films on (111) MgO substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Vanadium nitride VN was grown epitaxially on (111) MgO by reactive magnetron sputtering. The substrate preparation and deposition conditions cause an interface roughness of 2–3 nm. The lattice mismatch of cube-on-cube orientation relationship between (111) VN and (111) MgO is relaxed by misfit dislocations. Ab-initio simulations were employed to calculate the lowest energy configuration of the coherent parts of the interface. This is accomplished by an O termination of the MgO and V termination of VN at the interface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 3, 1 December 2008, Pages 1177–1181
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 3, 1 December 2008, Pages 1177–1181
نویسندگان
Petr Lazar, Boriana Rashkova, Josef Redinger, Raimund Podloucky, Christian Mitterer, Christina Scheu, Gerhard Dehm,