کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1671994 | 1008927 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Chemical deposition of Al2O3 thin films on Si substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Uniform Al2O3 films were deposited on silicon substrates by the sol–gel process from stable coating solutions. The technological procedure includes spin coating deposition and investigating the influence of the annealing temperature on the dielectric properties. The layers were studied by Fourier transform infrared spectroscopy and Scanning Electron Spectroscopy. The electrical measurements have been carried out on metal–insulator–semiconductor (MIS) structures. The C–V curves show a negative fixed charge at the interface and density of the interface state, Dit, 3.7 × 1011 eV− 1cm− 2 for annealing temperature at 750 °C.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 23, 1 October 2009, Pages 6327–6330
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 23, 1 October 2009, Pages 6327–6330
نویسندگان
P. Vitanov, A. Harizanova, T. Ivanova, T. Dimitrova,