کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1672167 | 1008929 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
N-channel thin-film transistors based on 1,4,5,8-naphthalene tetracarboxylic dianhydride with ultrathin polymer gate buffer layer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
N-channel operation of thin-film transistors based on 1,4,5,8-naphthalene tetracarboxylic dianhydride (NTCDA) with a 9-nm-thick poly(methyl methacrylate) (PMMA) gate buffer layer was examined. The uniform coverage of the ultrathin PMMA layer on an SiO2 gate insulator, verified by X-ray reflectivity measurement, caused the increase of electron field-effect mobility because of the suppression of electron traps existing on the SiO2 surface. In addition, air stability for n-channel operation of the NTCDA transistor was also improved by the PMMA layer which possibly prevented the adsorption of ambient water molecules onto the SiO2 surface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 2, 30 November 2009, Pages 571-574
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 2, 30 November 2009, Pages 571-574
نویسندگان
Shinji Tanida, Kei Noda, Hiroshi Kawabata, Kazumi Matsushige,