کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1672528 | 1008934 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
LiF enhanced nucleation of the low temperature microcrystalline silicon prepared by plasma enhanced chemical vapour deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: LiF enhanced nucleation of the low temperature microcrystalline silicon prepared by plasma enhanced chemical vapour deposition LiF enhanced nucleation of the low temperature microcrystalline silicon prepared by plasma enhanced chemical vapour deposition](/preview/png/1672528.png)
چکیده انگلیسی
A 15-nm lithium fluoride (LiF) thin film evaporated on glass substrate is shown to enhance the nucleation of microcrystalline Si grown by plasma enhanced chemical vapour deposition at the amorphous/microcrystalline boundary conditions. The effect is more pronounced at low substrate temperatures, nucleation density being 10 times higher at ∼ 80 °C. The effect is ascribed to the ionic chemical nature of LiF, the low work function material used in organic electronic devices, and we propose its use for micro patterning crystalline Si regions in otherwise amorphous Si film.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 24, 30 October 2009, Pages 6829–6832
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 24, 30 October 2009, Pages 6829–6832
نویسندگان
Jiří Stuchlík, Martin Ledinský, Shinya Honda, Ivo Drbohlav, Tomáš Mates, Antonín Fejfar, Karel Hruška,