کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1672553 | 1008935 | 2009 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Simulations of a stress and contact model in a chemical mechanical polishing process
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Simulations of a stress and contact model in a chemical mechanical polishing process Simulations of a stress and contact model in a chemical mechanical polishing process](/preview/png/1672553.png)
چکیده انگلیسی
A two-dimensional axisymmetric quasi-static contact finite element model for the chemical mechanical polishing process (CMP) was established. The von Mises stress on the wafer surface was investigated. The findings indicate that the profile of the von Mises stress correlated with that of the removal rate. The larger the elastic modulus of the pad or the smaller the elastic modulus of the carrier film, the larger is the maximum von Mises stress. The thicker the pad or the thinner the film, the smaller is the maximum von Mises stress. The larger the load exerted on the carrier, the greater is the maximum von Mises stress.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 21, 1 September 2009, Pages 6027–6033
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 21, 1 September 2009, Pages 6027–6033
نویسندگان
Yeou-Yih Lin, Ding-Yeng Chen, Chuang Ma,