کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1672608 | 1008936 | 2008 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Defects in Cu2O, CuAlO2 and SrCu2O2 transparent conducting oxides
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Materials derived from copper oxide, Cu2O, are leading candidates for p-type transparent conducting oxides (TCO). We use first principles density functional theory (DFT) to investigate the defect chemistry of Cu2O, CuAlO2 and SrCu2O2. The origin of the p-type character of these materials is the facile formation of acceptor defects, in particular copper vacancies. Defect formation can be tuned so that under oxidising conditions formation of Cu vacancies is promoted. Formation of compensating defects is unfavourable. The defect chemistry of these TCO materials is remarkably similar and the present results demonstrate that acceptor defects will dominate the defect chemistry of Cu2O materials.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 22, 30 September 2008, Pages 8130–8135
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 22, 30 September 2008, Pages 8130–8135
نویسندگان
Michael Nolan,