کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1672853 | 1008940 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Retardance of chalcogenide thin films grown by the oblique-angle-deposition technique
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Retardance of chalcogenide thin films grown by the oblique-angle-deposition technique Retardance of chalcogenide thin films grown by the oblique-angle-deposition technique](/preview/png/1672853.png)
چکیده انگلیسی
Columnar and chevronic thin films of GeSbSe chalcogenide glasses were grown by the oblique-angle-deposition technique. These thin films were found to exhibit dielectric anisotropy in the near-infrared regime. The retardance of any of the fabricated thin films was found to increase linearly with the thickness. Columnar thin films exhibited significantly lower retardance per unit thickness than chevronic thin films. The experimental results indicate the potential of these thin films for near-infrared polarizers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 18, 31 July 2009, Pages 5553-5556
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 18, 31 July 2009, Pages 5553-5556
نویسندگان
Raúl J. MartÃn-Palma, Fan Zhang, Akhlesh Lakhtakia, An Cheng, Jian Xu, Carlo G. Pantano,