کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1672957 | 1518087 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial growth of zinc oxide thin films on epi-GaN/sapphire (0001) by sol-gel technique
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Epitaxial ZnO film has been grown using an epi-GaN buffer layer on sapphire (0001) substrate by sol-gel technique. The 2θ curve full width at half maximum of the ZnO (0002) peak for the film annealed at optimized temperature of 600 °C, was found to be 0.07° from X-ray diffraction spectrum. The atomic force microscopy revealed smooth hexagonal faceting of the ZnO films. Photoluminescence spectrum at room temperature exhibits a sharp exciton emission with a line width of 120 meV with negligible deep level emission. The observed six fold symmetry in reflection high energy electron diffraction pattern confirms the epitaxial nature of the ZnO film.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issues 7â8, 26 February 2007, Pages 3330-3334
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issues 7â8, 26 February 2007, Pages 3330-3334
نویسندگان
Parmod Sagar, Manoj Kumar, R.M. Mehra, H. Okada, Akihiro Wakahara, Akira Yoshida,