کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1673320 | 1518090 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Microcrystalline silicon thin films grown at high deposition rate by PECVD
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Hydrogenated microcrystalline silicon films have been deposited by RF-PECVD varying the RF power from 20 to 200 W, using a silane concentration of 3% and a total flow rate of 206 sccm. The film properties do not change appreciably in a wide range of RF power: dark conductivity, hydrogen content and grain dimension are approximately constant, 10− 4 S/cm, 2 at.%, 10 nm, respectively. A deposition rate of 0.5 nm/s has been reached at the RF power of 150 W. Films deposited at high deposition rate show, in the near infrared region, a clear enhancement of optical absorption due to the light scattering and low defect absorption.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volumes 511–512, 26 July 2006, Pages 280–284
Journal: Thin Solid Films - Volumes 511–512, 26 July 2006, Pages 280–284
نویسندگان
G. Ambrosone, U. Coscia, S. Lettieri, P. Maddalena, M. Ambrico, G. Perna, C. Minarini,