کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1673372 | 1008947 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Magnetron sputtering process control by medium-frequency power supply parameter
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this paper, the influence of the sputtering technology (reactive gas partial pressure, magnetic field intensity) on the power supply parameters has been investigated. The reactive sputtering of aluminium target in Ar + O2 atmosphere has been used as an example. The experiments have shown that the formation of the Al2O3 layers can be observed by the parameter of the power supply. It allowed estimating the point at which the sputtered material surface was poisoned by the reactive compound i.e. distinguishing magnetron sputtering modes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 14, 30 May 2008, Pages 4478–4482
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 14, 30 May 2008, Pages 4478–4482
نویسندگان
W.M. Posadowski, A. Wiatrowski, J. Dora, Z.J. Radzimski,