کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1673658 | 1518098 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Plasma treatment for crystallization of amorphous thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Plasma treatment for crystallization of amorphous thin films Plasma treatment for crystallization of amorphous thin films](/preview/png/1673658.png)
چکیده انگلیسی
The crystallization of amorphous metal oxide thin films was achieved by RF plasma treatment. Although various amorphous films are crystallized after 2 min or so, the sample temperature is lower than 150 °C without compulsory cooling even when the films are treated for 1 h. The oxygen gas pressure on the plasma treatment was found to be the key parameter on the crystallization. This treatment works on amorphous films of various materials, independently of the film preparation method and substrate materials.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 502, Issues 1â2, 28 April 2006, Pages 63-66
Journal: Thin Solid Films - Volume 502, Issues 1â2, 28 April 2006, Pages 63-66
نویسندگان
H. Ohsaki, Y. Shibayama, A. Nakajim, A. Kinbara, T. Watanabe,