کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1673793 | 1008953 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nanocrystalline silicon thin films on PEN substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Nanocrystalline silicon thin films on PEN substrates Nanocrystalline silicon thin films on PEN substrates](/preview/png/1673793.png)
چکیده انگلیسی
P- and n-doped layers were deposited onto glass substrate without intentional heating and at 100 °C with thicknesses ranging from 1000 nm to 35 nm. Conductivity measurements indicate the capability of doping this material, but, for very thin layers, substrate heating was found to be essential.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 5, 15 January 2008, Pages 584-587
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 5, 15 January 2008, Pages 584-587
نویسندگان
F. Villar, J. Escarré, A. Antony, M. Stella, F. Rojas, J.M. Asensi, J. Bertomeu, J. Andreu,