کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1673802 | 1008953 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Microstructure of highly crystalline silicon carbide thin films grown by HWCVD technique
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Microstructure of highly crystalline silicon carbide thin films grown by HWCVD technique Microstructure of highly crystalline silicon carbide thin films grown by HWCVD technique](/preview/png/1673802.png)
چکیده انگلیسی
Highly crystalline silicon carbide films were synthesised by HWCVD technique. Raman spectroscopic studies show that the SiC films contain crystalline SiC and also carbon phases. Carbon is graphitic at higher chamber pressures (≥ 50 Pa) and resembles diamond-like carbon at low pressure (5 Pa). Cross-section TEM results show a columnar morphology of the crystallites with typical column diameters up to ∼ 50 nm. Transmission electron diffraction patterns reveal SiC in its cubic and hexagonal SiC phases and the C diamond phase at low pressure. Annealing at 1000 °C for 1 h results in enhancement of crystallite size without nucleation of new phases.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 5, 15 January 2008, Pages 618–621
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 5, 15 January 2008, Pages 618–621
نویسندگان
A. Dasgupta, S. Klein, L. Houben, R. Carius, F. Finger, M. Luysberg,