کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1674073 | 1008957 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Organic Mott insulator-based nanowire formed by using the Nanoscale-electrocrystallization
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We obtained organic Mott insulator nanowire by using the Nanoscale-electrocrystallization. The ac electrocrystallization provided nanowires only in the gap between two electrodes though dc yielded them over the anode surface. These nanowires ranged in width from 50 nm to several hundred nm and were several μm in length. We also measured their i–V characteristics.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 9, 3 March 2008, Pages 2491–2494
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 9, 3 March 2008, Pages 2491–2494
نویسندگان
Hiroyuki Hasegawa, Yutaka Noguchi, Rieko Ueda, Tohru Kubota, Shinro Mashiko,