کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1674130 | 1008957 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Observation of negative differential resistance and single-electron tunneling in electromigrated break junctions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Observation of negative differential resistance and single-electron tunneling in electromigrated break junctions Observation of negative differential resistance and single-electron tunneling in electromigrated break junctions](/preview/png/1674130.png)
چکیده انگلیسی
We observed a negative differential resistance (NDR) along with single-electron tunneling (SET) in the electron transport of electromigrated break junctions with metal-free tetraphenylporphyrin (H2BSTBPP) at a temperature of 11 K. The NDR strongly depended on the applied gate voltages, and appeared only in the electron tunneling region of the Coulomb diamond. We could explain the mechanism of this new type of electron transport by a model assuming a molecular Coulomb island and local density of states of the source and the drain electrodes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 9, 3 March 2008, Pages 2762–2766
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 9, 3 March 2008, Pages 2762–2766
نویسندگان
Yutaka Noguchi, Rieko Ueda, Tohru Kubota, Toshiya Kamikado, Shiyoshi Yokoyama, Takashi Nagase,