کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1674219 | 1008960 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of β-FeSi2 thin films on β-FeSi2 (110) substrates by molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Growth of β-FeSi2 thin films on β-FeSi2 (110) substrates by molecular beam epitaxy Growth of β-FeSi2 thin films on β-FeSi2 (110) substrates by molecular beam epitaxy](/preview/png/1674219.png)
چکیده انگلیسی
We have investigated the preparation of β-FeSi2 substrate and growth condition of β-FeSi2 thin film on β-FeSi2 (110) substrate by molecular beam epitaxy. The surface of the substrate was prepared by a wet-etching using HF(50%):HNO3(60%):H2O = 1:1:5 solution at 25 °C. It is clear that the optimal etching period to obtain a flat surface was 3 min. The β-FeSi2 thin film with streak RHEED pattern was obtained at Si/Fe flux ratio of 2.9. Average surface roughness (Ra) of the β-FeSi2 film was about 0.5 nm in 5 × 5 μm2 area.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 22, 15 August 2007, Pages 8197–8200
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 22, 15 August 2007, Pages 8197–8200
نویسندگان
M. Muroga, H. Suzuki, H. Udono, I. Kikuma, A. Zhuravlev, K. Yamaguchi, H. Yamamoto, T. Terai,