کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1674352 | 1008962 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ballistic nano-devices for high frequency applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this paper, we present a study on three-terminal ballistic junction and their applications to rectifiers and MUX/DEMUX. Rectifying effect is observed up to 94 GHz at room temperature. Although THz frequency performance has been demonstrated by Monte Carlo simulation, the high impedance of the nano-device combined with the parasitic capacitances is a limiting factor.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 10, 26 March 2007, Pages 4321–4326
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 10, 26 March 2007, Pages 4321–4326
نویسندگان
S. Bollaert, A. Cappy, Y. Roelens, J.S. Galloo, C. Gardes, Z. Teukam, X. Wallart, J. Mateos, T. Gonzalez, B.G. Vasallo, B. Hackens, L. Berdnarz, I. Huynen,