کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1674358 1008962 2007 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Interdiffusion effect on quantum-well structures grown on GaSb substrate
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Interdiffusion effect on quantum-well structures grown on GaSb substrate
چکیده انگلیسی

We have modeled the effect of compositional interdiffusion on the optical properties of GaSb/AlGaSb and InGaAsSb/AlGaAsSb quantum-well structures grown on GaSb substrate. Blue shifts of emission wavelength as large as 270 nm and 700 nm are predicted from a 6 nm wide interdiffused GaSb/AlGaSb quantum-well for a diffusion length of 3 nm, and from a 10 nm wide interdiffused InGaAsSb/AlGaAsSb quantum-well for a diffusion length of 5 nm, respectively. The effects of the as-grown quantum-well width and applied electric field on the emission wavelength and their relationship to the interdiffusion are also investigated.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 10, 26 March 2007, Pages 4352–4355
نویسندگان
, , , , , , , ,