کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1674361 | 1008962 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Studies of electron trapping in GaN doped with carbon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Studies of electron trapping in GaN doped with carbon Studies of electron trapping in GaN doped with carbon](/preview/png/1674361.png)
چکیده انگلیسی
Irradiation by the beam of the scanning electron microscope is shown to induce a systematic decay of the cathodoluminescence intensity in gallium nitride semiconductor doped with carbon. This decay is accompanied by increased electronic carrier diffusion length, indicating that electron irradiation results in the increase of carrier lifetime. Temperature-dependent cathodoluminescence measurements yielded activation energy for irradiation-induced effect of 210 meV. This observation is consistent with trapping of non-equilibrium electrons on deep, non-ionized carbon levels.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 10, 26 March 2007, Pages 4365–4368
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 10, 26 March 2007, Pages 4365–4368
نویسندگان
Olena Lopatiuk, Leonid Chernyak, Yishai Feldman, Konstantin Gartsman,