کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1674378 | 1008962 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Interdiffusion effect on GaAsSbN/GaAs quantum well structure studied by 10-band k•p model
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The effect of annealing on the photoluminescence (PL) in GaAsSbN/GaAs quantum well (QW) grown by solid-source molecular-beam epitaxy (SS-MBE) has been investigated. Low-temperature (4 K) PL peaks shift to higher energy sides with the increase of annealing temperature. An As–Sb atomic interdiffusion at the heterointerface is proposed to model this effect. The compositional profile of the QW after interdiffusion is modeled by an error function distribution and calculated with the 10-band k
• p method. When the diffusion length equals to 1.4 nm, a corresponding transition energy blueshift of 36 meV is derived. This agrees with the experimental result under the optimum condition (750 °C at 5 min).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 10, 26 March 2007, Pages 4435–4440
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 10, 26 March 2007, Pages 4435–4440
نویسندگان
Y.X. Dang, W.J. Fan, S.T. Ng, S. Wicaksono, S.F. Yoon, D.H. Zhang,