کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1674474 | 1008964 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High-temperature PbTe diodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: High-temperature PbTe diodes High-temperature PbTe diodes](/preview/png/1674474.png)
چکیده انگلیسی
We describe the preparation of high-temperature PbTe diodes. Satisfactory rectification was observed up to 180–200 K. Two types of diodes, based on a p-PbTe single crystal, were prepared: (1) by In ion-implantation, and (2) by thermodiffusion of In. Measurements were carried-out from ~ 10 K to ~ 200 K. The ion-implanted diodes exhibit a satisfactorily low saturation current up to a reverse bias of ~ 400 mV, and the thermally diffused junctions up to ~ 1 V. The junctions are linearly graded. The current–voltage characteristics have been fitted using the Shockley model. Photosensor parameters: zero-bias-resistance × area product, the R0C0-time constant and the detectivity D⁎ are presented.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 20, 30 August 2008, Pages 7065–7069
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 20, 30 August 2008, Pages 7065–7069
نویسندگان
Z. Dashevsky, V. Kasiyan, E. Mogilko, A.V. Butenko, R. Kahatabi, S. Genikov, V. Sandomirsky, Y. Schlesinger,