کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1674525 | 1008965 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Carrier mobilities in microcrystalline silicon films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
For a better understanding of electronic transport mechanisms in thin-film silicon solar cell quality films, we have investigated the Hall mobility for electrons in microcrystalline/amorphous silicon over a range of crystallinities and doping concentrations.We find that Hall mobility increases with increasing doping concentration in accordance with earlier measurements. With increasing amorphous fraction, the measured mobility decreases suggesting a negative influence of the additional disorder. The results suggest a differential mobility model in which mobility depends on the energy level of the carriers that contribute to the electrical current.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 19, 16 July 2007, Pages 7486–7489
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 19, 16 July 2007, Pages 7486–7489
نویسندگان
T. Bronger, R. Carius,