کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی نسخه تمام متن
1674537 1008965 2007 4 صفحه PDF سفارش دهید دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic and atomic structure of Ge2Sb2Te5 phase change memory material
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Electronic and atomic structure of Ge2Sb2Te5 phase change memory material
چکیده انگلیسی

Electronic structure calculations are presented for various model structures of the crystalline and amorphous phases of Ge2Sb2Te5. The structures are all found to possess a band gap of order 0.5 eV, indicating closed shell behaviour. It is pointed out that structural vacancies in A7-like Ge2Sb2Te5 are not electronically active. In addition, A7-like structures do not support valence alternation pair defects, which are one model of the conduction processes in the amorphous phase in non-volatile memories.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 19, 16 July 2007, Pages 7538–7541
نویسندگان
, , ,
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت