کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1674537 | 1008965 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic and atomic structure of Ge2Sb2Te5 phase change memory material
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Electronic and atomic structure of Ge2Sb2Te5 phase change memory material Electronic and atomic structure of Ge2Sb2Te5 phase change memory material](/preview/png/1674537.png)
چکیده انگلیسی
Electronic structure calculations are presented for various model structures of the crystalline and amorphous phases of Ge2Sb2Te5. The structures are all found to possess a band gap of order 0.5 eV, indicating closed shell behaviour. It is pointed out that structural vacancies in A7-like Ge2Sb2Te5 are not electronically active. In addition, A7-like structures do not support valence alternation pair defects, which are one model of the conduction processes in the amorphous phase in non-volatile memories.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 19, 16 July 2007, Pages 7538–7541
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 19, 16 July 2007, Pages 7538–7541
نویسندگان
J. Robertson, K. Xiong, P.W. Peacock,