کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1674557 | 1008965 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low temperature electric transport properties in hydrogenated microcrystalline silicon films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The dark conductivity of microcrystalline silicon (μc-Si:H) films, deposited in a RF-PECVD system varying the RF power in the 15-100 W range, has been investigated as a function of the temperature. Under low electric field condition (103 V/cm), the conductivity of the samples as a function of the exponential of Tâ 1/4 presents a linear behaviour in the measured temperature range. The density of states near the Fermi level, the range of hopping and the activation energy for hopping have been evaluated using the diffusion model. A correlation between the hopping parameters and the crystallinity degree has been found.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 19, 16 July 2007, Pages 7629-7633
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 19, 16 July 2007, Pages 7629-7633
نویسندگان
G. Ambrosone, U. Coscia, A. Cassinese, M. Barra, S. Restello, V. Rigato, S. Ferrero,