کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1674585 | 1008966 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Surface morphology of homoepitaxial β-Ga2O3 thin films grown by molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
β-Ga2O3 thin films were grown on (100)-oriented β-Ga2O3 single crystal substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy. At the growth temperature over 800 °C and the Ga beam equivalent pressure of 1.1 × 10− 7 Torr, the grown surfaces exhibited clear step and terrace structures and the root-mean-square roughness of 0.5 nm in atomic force microscopy. The successful step-flow growth is indebted to the strong cleavableness of (100) planes of β-Ga2O3. The off-axis direction, determined by the initial substrate polishing stage, significantly influences on the surface morphology, and it should be along [001] or [00-1] directions in order for smooth surfaces.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 17, 1 July 2008, Pages 5768–5771
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 17, 1 July 2008, Pages 5768–5771
نویسندگان
Takayoshi Oshima, Naoki Arai, Norihito Suzuki, Shigeo Ohira, Shizuo Fujita,