کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1675049 | 1008973 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Highly oriented star-like patterns observed on GaSe epilayers grown on Si(111)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Epitaxial lamellar gallium selenide (GaSe) semiconductors have been grown on trench-patterned silicon (Si) substrates by molecular beam epitaxy. An intriguing star-like patterned morphology was identified by atomic force microscopy on these epilayers. This non-trivial feature can be correlated with the accumulation of stacking faults of two concurrent epitaxial domains around self-oriented triangular pits developed earlier on the Si(111) surface by the chemical etching. Crystallographic considerations show how the stars can be formed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 4, 5 December 2006, Pages 1470-1474
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 4, 5 December 2006, Pages 1470-1474
نویسندگان
H.F. Jurca, I. Mazzaro, W.H. Schreiner, D.H. Mosca, M. Eddrief, V.H. Etgens,