کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1675343 | 1518096 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of Ti alloying in nickel silicide formation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Effect of Ti alloying in nickel silicide formation Effect of Ti alloying in nickel silicide formation](/preview/png/1675343.png)
چکیده انگلیسی
In the presence of interfacial oxide, an addition of 20 at.% Ti to Ni film leads to the formation of a thick TiOx layer at the Ni(Ti)/Si interface upon annealing, preventing the inter-diffusion of Ni and Si hence hindering the Ni silicide formation up to 700 °C. At 800 °C, a mixture of predominant NiSi phase with some NiSi2 grains facetted in (111) plane was observed. A different mechanism occurred for the sample with minimal oxygen contamination where Ni3Si2 was found to be stable up to 900 °C. Nevertheless, Ti addition has delayed the silicidation reaction to 600 °C.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 504, Issues 1–2, 10 May 2006, Pages 153–156
Journal: Thin Solid Films - Volume 504, Issues 1–2, 10 May 2006, Pages 153–156
نویسندگان
Y. Setiawan, P.S. Lee, C.W. Tan, K.L. Pey,