کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1675622 | 1008982 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Formation and investigation of p–n diode structures based on lanthanum manganites and Nb-doped SrTiO3
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
High quality La2 / 3Ba1 / 3MnO3 (LBMO), La2 / 3Ca1 / 3MnO3 (LCaMO) and La2 / 3Ce1 / 3MnO3 (LCeMO) thin films were grown on Nb 0.1 wt.% doped conducting SrTiO3(100) (STON) substrates. Asymmetric current–voltage relations measured for the LBMO/STON, LCaMO/STON and LCeMO/STON heterostructures at T = 78/300 K certified hole-doping of the manganite films. The diffusion voltage, corresponding to a steep current increase at forward bias has been estimated. The LCaMO/STON heterojunction showed possible impact of interfacial strain on the rectifying behavior, meanwhile, the LaCeMO/STON heterostructures demonstrated evidence of phase separation of the manganite film at the interface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 2, 25 October 2006, Pages 599–602
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 2, 25 October 2006, Pages 599–602
نویسندگان
B. Vengalis, J. Devenson, K. Šliužienė, R. Butkutė, M.A. Rosa, V. Lisauskas, M. Godinho, A.K. Oginskis, F. Anisimovas,