کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1675805 | 1008984 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Atomic geometry and electronic structure of defects in Zn3N2
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Atomic geometry, electronic structure and formation energy of native defects in Zn3N2 films have been studied by means of density functional theory to interpret the different behaviors of defective Zn3N2. The effects of the vacancy and self-interstitial N on electronic and optical properties of zinc nitride were investigated, from which we conclude that N vacancy is responsible for n-type conduction character. Various defects may cause energy shift or gap change, which explains different optical band gap detected in Zn3N2 samples.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 6, 30 January 2008, Pages 1297–1301
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 6, 30 January 2008, Pages 1297–1301
نویسندگان
Run Long, Ying Dai, Lin Yu, Baibiao Huang, Shenghao Han,